特許
J-GLOBAL ID：201103071854056695
窒化物半導体から成る単体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-132670
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329665
特許番号：特許第4165030号
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板上に気相エピタキシャル成長法により成長させた窒化物半導体基板を切断して窒化物半導体から成る単体基板を製造する方法において、
前記基板上に窒化物半導体を2段階成長させることにより成長界面を形成して、該成長界面を互いの接触面とする第1及び第2の窒化物半導体を有する前記窒化物半導体基板を形成する第1の工程と、
前記第1の工程で得られた窒化物半導体基板を、ワイヤーソーで、前記成長界面に対して平行方向に、且つ前記成長界面又は前記成長界面付近で切断する第2の工程と、を備え、
前記成長界面は、前記第1の窒化物半導体の表面に形成された多角錐形状、又は円錐形状の窪みにより、水平面に対して高低差を有することを特徴とする窒化物半導体から成る単体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/304 ( 200 6.01)
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/304 611 W
