特許
J-GLOBAL ID：201103071947054005
液晶材料の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 通洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-169979
公開番号（公開出願番号）：特開2011-020982
出願日： 2009年07月21日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：
【課題】 本発明が解決しようとする課題は、再結晶操作による高い比抵抗値を有する液晶化合物の、安全性の高い製造方法を提供することであり、この製造方法により得られた液晶化合物を使用した液晶組成物を提供することであり、高い比抵抗値を有する液晶化合物を得る安全性の高い再結晶方法を提供することである。【解決手段】 一般式(1)【化1】で表される化合物をリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が1.0ppb以下であるアルコール類溶媒、ケトン類溶媒、エステル類溶媒、エーテル類溶媒又はニトリル類溶媒から選択される単一又は混合溶媒を用いて再結晶した後に、再結晶に使用した溶媒を留去する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
一般式(1)
IPC (7件)：
C07C 41/46
, C07C 43/225
, C09K 19/30
, C09K 19/32
, C09K 19/34
, C07D 311/58
, G02F 1/13
C07C41/46
, C07C43/225 A
, C09K19/30
, C09K19/32
, C09K19/34
, C07D311/58
, G02F1/13 500
4C062FF13
, 4H006AA02
, 4H006AB64
, 4H006AD15
, 4H006BB14
, 4H006BB16
, 4H006BP30
, 4H027BA01
, 4H027BD01
, 4H027CR04
, 4H027CT04
, 4H027DH04
, 4H027DK04
