IC外観検査方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-228723
公開番号（公開出願番号）：特開2001-050726
特許番号：特許第3434744号
出願日： 1999年08月12日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】リード間や半導体装置周辺に存在する異物を検査するIC外観検査方法において、前記リードを相互に連結しているタイバー切断部の位置を検出し、前記タイバー切断部をマスクした上で、前記リードの存在範囲を指定するリード検出範囲ウインドー内をエッジ抽出処理し、前記リード及びリード形状不良の輪郭部分を検出したエッジ抽出画像を累積した投影グラフ上の投影グラフ判断基準レベル値に達するか否かでリード投影領域を検出し、前記リード毎の前記リード投影領域の幅が規定範囲を越えているか否かで前記異物の存在を検出することを特徴とするIC外観検査方法。

IPC (3件)：

G01B 11/24 , G01N 21/956 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 21/956 A , H01L 21/66 J , G01B 11/24 K

引用特許：

審査官引用 (1件)

リード間異物検査法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-334245 出願人：アジアエレクトロニクス株式会社

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