半絶縁ポリシリコン(SIPOS)を用いた電力半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012829
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288949
特許番号：特許第4607266号
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 (a)半導体基板に第1導電型のコレクタ領域を形成する段階と、 (b)前記コレクタ領域が形成された半導体基板上に、ベース領域が形成される領域の半導体基板を露出させる絶縁膜を形成する段階と、 (c)前記コレクタ領域内に第2導電型のベース領域を形成した後に結果物の全面に熱酸化膜からなる絶縁膜を形成する段階と、 (d)エミッタ領域及びチャンネルストップ領域が形成される領域の前記半導体基板を露出させる段階と、 (e)前記半導体基板に不純物を注入して第1導電型のエミッタ領域及びチャンネルストップ領域を形成した後に、前記半導体基板の全面に熱酸化膜からなる絶縁膜を形成する段階と、 (f)前記熱酸化膜からなる絶縁膜全体を所定厚さに食刻する段階と、 (g)前記(f)段階後の結果物全面に、半絶縁ポリシリコン膜と窒化膜を順次形成した後、前記ベース領域、エミッタ領域及びチャンネルストップ領域の一部を露出させる段階と、 (h)前記ベース領域、エミッタ領域及びチャンネルストップ領域と各々接続されるベース電極、エミッタ電極及び等電位電極を形成する段階とを具備し、前記窒化膜は500Å〜5000Åの厚さに形成され、前記ベース電極は前記チャンネルストップ領域側のフィールド領域方向に所定距離拡張されていることを特徴とする電力半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ( 200 6.01) , H01L 29/732 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 29/72 P

引用特許：

審査官引用 (14件)

電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-074318 出願人：株式会社東芝
特開平4-177734
トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-011209 出願人：ローム株式会社

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