特許

J-GLOBAL ID：201103072815940525

p型半導体層用電極

発明者： 鈴木 譲
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (12件)： 江村 美彦 ,  宮城 康史 ,  大久保 恵 ,  川和 高穂 ,  杉本 博司 ,  矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  住吉 秀一 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108031
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299480
特許番号：特許第4629815号
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】GaNから成るp型層の上に形成され、Ir層とAu層とをこの順序で積層して成るp型半導体層用電極であって、前記Ir層の厚さは、20nm以上、80nm以下であり、前記Au層の厚さは、20nm以上、50nm以下であることを特徴とするp型半導体層用電極。

IPC (4件)：

H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  C23C 14/06 ( 200 6.01) ,  C23C 28/04 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/48 D ,  C23C 14/06 N ,  C23C 28/04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-224110   出願人：旭化成工業株式会社