半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120847
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311907
特許番号：特許第3535038号
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁基体上に半導体素子をフリップチップ接続法により搭載し、該半導体素子と前記絶縁基体との間に樹脂製充填材を充填するとともに、該樹脂製充填材を前記絶縁基体の側面に形成した幅および深さが前記絶縁基体の上面側より下面側が大きな切欠き部にも入り込ませていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：