薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：星宮勝美 , 渡邊和浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099728
公開番号（公開出願番号）：特開2000-293824
特許番号：特許第4010702号
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第1および第2のシールド層と、前記磁気抵抗素子と前記第1および第2のシールド層との間に設けられた第1および第2の絶縁層と、前記磁気抵抗素子に接続された電極層とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第1のシールド層を形成する工程と、前記第1のシールド層の上に、第1の絶縁層を形成する工程と、前記第1の絶縁層の上に、磁気抵抗素子を形成するための材料よりなる磁気抵抗膜を形成する工程と、前記磁気抵抗膜の上に、エッチングによって磁気抵抗素子の概略の形状を決定すると共に電極層をリフトオフ法によって形成するためのリフトオフ用マスクを形成する工程と、前記リフトオフ用マスクを用いて前記磁気抵抗膜をエッチングして、概略の形状が決定された磁気抵抗素子を形成する工程と、前記リフトオフ用マスクを用いて、リフトオフ法により、電極層を形成する工程と、概略の形状が決定された磁気抵抗素子の上に、エッチングによって磁気抵抗素子の記録媒体に対向する側とは反対側の端部の位置を決定するためのマスクとして用いられるエッチング用マスク層を形成する工程と、前記エッチング用マスク層を用いて、概略の形状が決定された磁気抵抗素子をエッチングして、磁気抵抗素子の記録媒体に対向する側とは反対側の端部の位置を決定する工程と、前記磁気抵抗素子および第1の絶縁層の上に、第2の絶縁層を形成する工程と、前記第2の絶縁層の上に、第2のシールド層を形成する工程とを含み、前記第2の絶縁層を形成する工程は、前記電極層を形成する工程の後に、前記概略の形状が決定された磁気抵抗素子の上に第2の絶縁層の第1の部分を形成する工程と、前記磁気抵抗素子の端部の位置を決定する工程の後に、前記エッチング用マスク層の上に第2の絶縁層の第2の部分を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。

IPC (2件)：

G11B 5/39 ( 200 6.01) , G11B 5/31 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G11B 5/39 , G11B 5/31 K

引用特許：

審査官引用 (1件)

磁気抵抗読取りトランスデューサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-227171 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

前のページに戻る