半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-102859
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299453
特許番号：特許第4354126号
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】スタンダードセルを用い自動配置配線で多層プロセスにより形成された半導体集積回路装置において、各スタンダードセルの最上層メタルまたはその1層下のメタルがセルの略全面に設けられ、前記最上層メタルまたは前記最上層メタルとその1層下のメタルを電源配線として用い且つ前記メタルとスタンダードセルの電源線路が接続された電源供給用スタンダードセルを備えることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/82 ( 200 6.01) , H01L 21/3205 ( 200 6.01) , H01L 23/52 ( 200 6.01) , H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/82 B , H01L 21/82 L , H01L 21/88 Z , H01L 27/04 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-284864
特開平3-284864
特開昭60-167445

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