金属化合物の薄膜形成装置及びその薄膜形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋山敦 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-237599
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064772
特許番号：特許第3202974号
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ターゲットが配設された真空槽と、該真空槽に接続された排気ポンプと、を備えた金属化合物の薄膜形成装置において、前記真空槽内には成膜プロセス室と反応プロセス室が形成され、前記成膜プロセス室と前記反応プロセス室とは遮蔽板で区画されると共に、前記成膜プロセス室と前記反応プロセス室との間に前記排気ポンプを配設し、前記成膜プロセス室内の圧力を、前記反応プロセス室内の圧力よりも高くすることが可能な圧力制御手段を備えたことを特徴とする金属化合物の薄膜形成装置。

IPC (1件)：