特許

J-GLOBAL ID：201103073918221655

半導体集積回路

発明者： 鈴木 健二 ,  上野 好典
出願人/特許権者： エヌイーシーマイクロシステム株式会社
代理人 (1件)： 机 昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203453
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036073
特許番号：特許第3415499号
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体素子を構成し互いに隣接する電極のうち、一方の電極のパターンのみが分割されて他方の電極と同一層に形成され、前記一方の電極は別の層に設けた配線層に接続されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/08 321 F

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭55-065468
  
• 特開平2-001928
  
• 配線寄生容量の見積り方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-241554   出願人：富士通株式会社