特許

J-GLOBAL ID：201103073980975704

フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。

発明者： 李 根守 ,  高 次元 ,  鄭 載昌 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (2件)： 荒船 博司 ,  荒船 良男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238931
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086726
特許番号：特許第3587743号
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト単量体。;;化1::(前記式で、Rは、C1-C10の置換または非置換された直鎖または側鎖アルキルか、C1-C10の置換または非置換されたエーテルか、C1-C10の置換または非置換されたエステル、或いは、C1-C10の置換または非置換されたケトンであり、X及びYは、それぞれCH2CH2、酸素、または硫黄であり、iは0以上2以下のある定数である。)

IPC (3件)：

C08F 32/00 ,  C08F 232/00 ,  G03F 7/039

FI (3件)：

C08F 32/00 ,  C08F 232/00 ,  G03F 7/039 601

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ネガ型フォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-022168   出願人：富士写真フイルム株式会社