特許
J-GLOBAL ID：201103074004362052

ブレークダウン特性及びオン抵抗特性を改善したトレンチ形MOSFET並びにその製造方法

発明者：
モハメッド・エヌ・ダーウィッシュ

モハメッド・エヌ・ダーウィッシュ について


出願人/特許権者：
シリコニックス・インコーポレイテッド

シリコニックス・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071596
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164869
特許番号：特許第4601092号
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 パワーMOSFETであって、 第1の導電型の半導体基板と、 前記基板の上層をなし、前記第1の導電型と反対の第2の導電型からなり、内部に、側壁及び底面を有するトレンチが形成されるエピタキシャル層と、 前記トレンチ内に配置され、前記トレンチの底面及び側壁に沿って延在する絶縁層により前記エピタキシャル層から電気的に隔離されるゲートとを有し、前記エピタキシャル層が、 前記第1の導電型からなり、前記エピタキシャル層の上側表面及び前記トレンチの前記側壁に隣接して配置されるソース領域と、 前記第2の導電型のボディと、 前記基板と、前記トレンチの前記底面及び前記底面に隣接する前記側壁の一部を含む前記トレンチの底部との間に、前記トレンチ底部から前記基板に向かって下向きに前記トレンチの前記側壁から横方向に離れて広がるように延在する前記第1の導電型のドレイン領域とを有し、 前記ボディは、前記基板と、前記ドレイン領域と、前記トレンチの前記側壁とに接触し、 前記ボディと前記ドレイン領域との間に接合部が存在し、前記接合部は前記基板から前記トレンチの前記側壁まで延在することを特徴とするパワーMOSFET。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 E
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 特開平3-004560
  • 特開平3-101167
  • 特開平4-212469
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審査官引用 (5件)
  • 特開平3-004560
  • 特開平3-101167
  • 特開平4-212469
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