特許
J-GLOBAL ID：201103074216801765
イオン化物理蒸着のための方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 森 徹
, 吉田 裕
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-583063
特許番号：特許第4150504号
出願日： 1999年11月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 イオン化物理蒸着装置(10)であって:
中に処理ガスを真空圧レベルで収容するための容積(26)を有する封止可能真空室(12);
この真空室(12)内で前記容積(26)の端にあり、且つ上に真空室(12)の該容積(26)に面するスパッタリングターゲット(16)を保持するためのターゲット支持体を含むスパッタリングカソード(17);
スパッタリングカソード(17)を付勢するためにこのカソード(17)に接続したカソード電源装置(21);
前記真空室(12)内で前記容積(26)のターゲット支持体と反対の端にあり、且つ、この容積(26)の向う側のターゲット(16)に面し、ターゲット支持体上に支持したターゲットからスパッタした材料でコーティングすべき基板を支持するための基板支持体(14);
高周波周波数を有し且つ前記容積(26)に接続され、ターゲット(16)からこの容積(26)を通過するスパッタした材料をイオン化するために十分な密度の、その中のガス中の2次高周波プラズマを付勢するための高周波エネルギー源(32)で、この2次プラズマを付勢するように高周波エネルギーを前記容積(26)に誘導的に結合するために、基板支持体(14)とターゲット支持体の間で真空室(12)の前記容積(26)を囲む少なくとも一つのコイル(30)を含むエネルギー源;
このコイル(30)と、その上の電位が高周波エネルギー源(32)の高周波周波数でプラズマの電位と浮遊する前記容積(26)との間で真空室(12)の周りに設けられ、該容積(26)から半径方向に外方に動くスパッタした材料を遮断するように形作られ且つ位置付けられた導電性のシールド構造体(70)であって、このシールド構造体(70)の中の導電路が真空室(12)の周りを円周方向に延びるのを遮断するに十分な少なくとも一つの軸方向不連続部をその中に有していて、前記コイル(30)が高周波エネルギーをこのコイル(30)から該シールド構造体を通して前記容積(26)の中へ導くようになっているシールド構造体を含む装置に於いて;
高周波エネルギー源(32)の周波数で高インピーダンスを有し且つ低直流インピーダンスを有するフィルタ(80)が前記シールド構造体と電圧制御回路(81)との間に接続され、それによって、前記カソード電源装置(21)からのエネルギーが真空室(12)内のガス中に主プラズマを作り、その主プラズマがターゲット支持体上のターゲット(16)から材料を前記容積(26)の中へスパッタし、前記高周波エネルギー源(32)から誘導的に結合したエネルギーによってこの容積(26)の中に2次プラズマが作られるときに、前記シールド構造体(70)に到達する負電荷が前記電圧制御回路(81)へ導かれ、一方このシールド構造体(70)が高周波周波数でプラズマと電気的に浮遊し、それでこのプラズマとシールド構造体(70)の間のプラズマ鞘が狭く、かつこのプラズマが、前記ターゲット(16)から前記容積(26)を通過するスパッタした材料を基板支持体(14)上の基板(15)の方へ且つそれに垂直に向かわせることができるように該スパッタした材料を効果的にイオン化するために前記容積(26)を十分に満たすようになっていることを特徴とする装置。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ( 200 6.01)
, H01J 37/34 ( 200 6.01)
, H01L 21/203 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
C23C 14/34 T
, H01J 37/34
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 S
