特許
J-GLOBAL ID：201103074612283840

炭化珪素半導体装置

発明者：
樽井 陽一郎

樽井 陽一郎 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-247296
公開番号（公開出願番号）：特開2011-096757
出願日： 2009年10月28日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：
【課題】工程数を増やすことなく特性バラツキを抑えた炭化珪素半導体装置を製造することが困難であるという問題があった。【解決手段】本発明にかかる炭化珪素半導体装置は、第1導電型の炭化珪素半導体基板であるN型SiC基板1およびN型SiCエピタキシャル層2と、N型SiCエピタキシャル層2の表面に間欠的に形成された複数の凹み部10と、複数の凹み部10の各底面においてN型SiCエピタキシャル層2に形成された、第2導電型の半導体層であるP型領域5と、N型SiCエピタキシャル層2の表面上に選択的に形成されたショットキー電極6とを備え、複数の凹み部10の深さは、すべて等しい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の炭化珪素半導体基板と、 前記炭化珪素半導体基板の表面に間欠的に形成された複数の凹み部と、 前記複数の凹み部の各底面において前記炭化珪素半導体基板に形成された、第2導電型の半導体層と、 前記炭化珪素半導体基板の前記表面上に選択的に形成されたショットキー電極とを備え、 前記複数の凹み部の深さは、すべて等しい、 炭化珪素半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/861
FI (5件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/44 S ,  H01L29/48 D ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/91 K
Fターム (10件)：
4M104AA03 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD24 ,  4M104DD26 ,  4M104FF02 ,  4M104FF08 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03
引用特許：
審査官引用 (6件)
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