特許

J-GLOBAL ID：201103074645037763

ウェーハの金属汚染防止装置および金属汚染量測定方法

発明者： 永井 清司 ,  松本 圭 ,  柴田 晴美 ,  柳 久美子 ,  内山 裕仁
出願人/特許権者： SUMCO TECHXIV株式会社
代理人 (2件)： 木村 高久 ,  小幡 義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331034
公開番号（公開出願番号）：特開2003-130822
特許番号：特許第4124412号
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ホットプレート法を用いてホットプレートにより加熱されたシリコンウェーハの表面の金属汚染量を測定するに際して、前記ホットプレートから前記ウェーハへの金属汚染を防止するウェーハの金属汚染防止装置において、 前記ホットプレートと測定対象のシリコンウェーハとの間に、シリコン酸化膜が形成されたシリコンウェーハを介在させたこと を特徴とするウェーハの金属汚染防止装置。

IPC (2件)：

G01N 23/223 ( 200 6.01) ,  H01L 21/66 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G01N 23/223 ,  H01L 21/66 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコンウエーハ中の金属不純物濃度評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-016517   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体基板の分析方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-280199   出願人：キヤノン株式会社