利得結合型分布帰還半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071057
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330635
特許番号：特許第4375834号
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】共振器方向に周期的な利得変動を有する利得結合型分布帰還半導体レーザ装置であって、共振器方向に沿って形成された周期的な第1の凹凸形状部の上に半導体埋込層が形成され、該半導体埋込層の内部において、第1の凹凸形状部の凹部上に該第1の凹凸形状部と同じ周期で縦長の活性層が設けられており、該活性層の高さは、該凹凸形状部の凹部の深さよりも大きい利得結合型分布帰還半導体レーザ装置。

IPC (1件)：