特許
J-GLOBAL ID:201103074874552248
セラミックス銅回路基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (5件):
波多野 久
, 関口 俊三
, 猿渡 章雄
, 河村 修
, 山田 毅彦
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-085568
公開番号(公開出願番号):特開2001-274534
特許番号:特許第4557354号
出願日: 2000年03月27日
公開日(公表日): 2001年10月05日
請求項(抜粋):
【請求項1】 セラミックス基板と銅回路板とを直接接合するセラミックス銅回路基板の製造方法において、
前記銅回路板として200〜400ppmの酸素を含むタフピッチ電解銅からなる銅回路板を用い、前記セラミックス基板と銅回路板とを、酸素含有量100ppm以下の窒素ガスの気流中、加熱温度1060°C以上で30分以上保持して接合することにより、銅回路板の表面のうちセラミックス基板との非接合面側の表面の酸素量を8ppm〜92ppmに制御したセラミックス銅回路基板を得ることを特徴とするセラミックス銅回路基板の製造方法。
IPC (3件):
H05K 3/38 ( 200 6.01)
, H05K 1/03 ( 200 6.01)
, H05K 1/09 ( 200 6.01)
FI (3件):
H05K 3/38 D
, H05K 1/03 610 E
, H05K 1/09 A
引用特許:
出願人引用 (5件)
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特開昭61-227035
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特開平2-232326
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特開平3-060192
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審査官引用 (8件)
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特開昭61-227035
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特開昭61-227035
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特開平2-232326
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特開平2-232326
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特開平3-060192
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特開平3-060192
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セラミックス回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-143918
出願人:株式会社東芝
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パワー半導体モジュール基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-323680
出願人:電気化学工業株式会社
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