特許
J-GLOBAL ID：201103075034601848
電子部材への絶縁膜形成方法および電子部材
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金山 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-352614
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168118
特許番号：特許第4334711号
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の治具と第2の治具にて、電子部材を複数個、それぞれ個別に挟み押さえ、且つ、それぞれの治具に設けられた貫通孔により、各電子部材の所定領域の導電性部分のみを露出するマスキング治具を形成し、各電子部材の露出した導電性部分の全体に、電着により絶縁性樹脂層を形成して、これを絶縁膜とする絶縁膜の形成方法であって、順に、第1の治具の貫通孔部を横切るようにして、電子部材を、貫通孔部に連なる凹部に嵌め込む、嵌め込み工程と、第2の治具を、電子部材を間に挟むようにして、第1の治具に合わせ、第1の治具と第2の治具にて、電子部材を複数個、それぞれ個別に挟み押さえ、且つ、各電子部材の所定領域の導電性部分のみを露出するマスキング工程と、各電子部材の露出した導電性部分全体に電着により絶縁性電着樹脂層を形成する、電着工程とを有し、電着工程後、乾燥、熱処理して、電着形成された絶縁性電着樹脂層を絶縁膜とするもので、前記嵌め込み工程は、第1の治具上に、複数個の電子部材をランダムに置き、第1の治具を振動させ、各電子部材を振動により移動し、貫通孔部に連なる凹部に嵌め込むものであることを特徴とする電子部材への絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/56 ( 200 6.01)
, C25D 13/12 ( 200 6.01)
H01L 21/56 R
, C25D 13/12 A
