特許
J-GLOBAL ID：201103075183067790

金属箔のパターニング方法及び配線基板の製造方法

発明者：
湯澤 秀樹

湯澤 秀樹 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198185
公開番号（公開出願番号）：特開2002-012988
特許番号：特許第3832558号
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属箔にレジスト層を形成し、前記レジスト層をマスクとして、前記金属箔を等方性エッチングによってパターニングする方法であって、 前記レジスト層を、第1及び第2の部分を有して前記第2の部分が複数の開口部を有するように形成し、 前記金属箔の前記レジスト層からの露出部は、前記複数の開口部からの複数の第2の露出部と、前記複数の第2の露出部を除く第1の露出部からなり、 前記等方性エッチングの性質によって隣同士の前記第2の露出部からサイドエッチングが進行して連通して前記レジスト層の前記第2の部分の下で前記金属箔の表面部がエッチングされて前記金属箔が薄くなるように前記複数の開口部の間隔を設定し、前記等方性エッチングの性質によって前記第1の露出部のエッチングが前記金属箔の裏面まで進行しても前記第2の露出部のエッチングは前記金属箔の裏面まで進行しない程度に前記第1の露出部よりもそれぞれの前記第2の露出部が小さくなるように前記複数の開口部の大きさをそれぞれ設定して、前記レジスト層を形成する金属箔のパターニング方法。
IPC (2件)：
C23F 1/00 ( 200 6.01) ,  H01L 23/12 ( 200 6.01)
FI (3件)：
C23F 1/00 A ,  C23F 1/00 103 ,  H01L 23/12 Q
引用特許：
審査官引用 (5件)
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