特許
J-GLOBAL ID：201103075545682854

セラミック電子部品の製造方法

発明者：
長井 淳夫

長井 淳夫 について

, 
倉光 秀紀

倉光 秀紀 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286496
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110668
特許番号：特許第3419364号
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 支持体上に第1の樹脂層を設ける第1工程と、次にこの第1の樹脂層の上に内部電極形状の第2の樹脂層を設ける第2工程と、次いで前記第1および第2の樹脂層上に薄膜形成法により金属薄膜を形成する第3工程と、その後前記金属薄膜がセラミックシートと接触するように支持体ごとセラミックシートと重ね合わせて前記金属薄膜側に凸部を有するプレス板で、前記支持体を介して前記第2の樹脂層を前記凸部が対応するように挟み、加圧する第4工程と、次に前記支持体を剥離後、前記金属薄膜に気体を吹きつけて余分な前記金属薄膜を除去する第5工程と、次いで前記セラミックシートと前記金属薄膜とが交互に積層された積層体を作製する第6工程と、その後前記積層体を焼成する第7工程とを備え、前記第1の樹脂層は前記支持体との接着強度が前記第2の樹脂層との接着強度よりも大きく、前記第2の樹脂層は前記第1の樹脂層との接着強度よりも前記金属薄膜との接着強度の方を大きくしたセラミック電子部品の製造方法。
IPC (2件)：
H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 311
FI (2件)：
H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 311 F
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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