特許
J-GLOBAL ID:201103075649550690

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  石川 滝治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-248935
公開番号(公開出願番号):特開2011-096830
出願日: 2009年10月29日
公開日(公表日): 2011年05月12日
要約:
【課題】半導体装置使用時の発熱による基板の上下面の温度変化を抑制することによって、少なくとも基板の反りを低減でき、もって、基板と半導体パッケージとを接合する半田層の疲労破壊を効果的に抑制することのできる、半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体素子1、放熱性パッド3、および、これらを封止する封止樹脂体7とからなる半導体パッケージ10が、基板8と半田層93で接合されてなる半導体装置100において、基板8のうち、少なくとも放熱性パッド3に対応する位置には、半導体パッケージ10と対向する一方面8aから他方面8bに延びる貫通孔81が開設されており、貫通孔81は、基板8に比して相対的に熱伝導率の高い熱伝導材で閉塞されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
放熱性パッドと、該放熱性パッドの一方面に固定された半導体素子と、該放熱性パッドの他方面を露出するようにして、少なくとも前記半導体素子を封止する封止樹脂体と、を具備する半導体パッケージと、前記半導体パッケージを実装する基板と、放熱性パッドの前記他方面と前記基板を接合する半田層と、からなる半導体装置において、 前記基板のうち、少なくとも前記放熱性パッドに対応する位置には、前記半導体パッケージと対向する一方面から他方面に延びる貫通孔が開設されており、 前記貫通孔は、前記基板に比して相対的に熱伝導率の高い熱伝導材で閉塞されている、半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/12 ,  H01L 23/36 ,  H05K 7/20
FI (3件):
H01L23/12 J ,  H01L23/36 C ,  H05K7/20 D
Fターム (9件):
5E322AA01 ,  5E322AB02 ,  5E322FA04 ,  5F136BB03 ,  5F136BC02 ,  5F136DA07 ,  5F136EA13 ,  5F136EA42 ,  5F136FA01
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 電子制御装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-275454   出願人:株式会社デンソー
  • 回路基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-201717   出願人:富士通株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-061740   出願人:ローム株式会社

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