メッキ成長装置及びメッキ成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：亀谷美明 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004160
公開番号（公開出願番号）：特開2000-204498
特許番号：特許第3346744号
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】メッキ成長装置において:ウエハ上のレジストの開口部に形成されたメッキ層に光を照射する光源と,前記メッキ層に照射された光のうち前記メッキ層により反射された光を検出可能な位置に配された光検出器と,を備え,前記光は,前記メッキ層が前記レジストより十分薄い場合,前記レジストに遮断され,前記メッキ層が十分厚くなり前記レジストとの差が十分小さくなると,前記メッキ層の表面で反射し,前記光検出器で検出されるように,前記ウエハに十分小さい入射角をもって前記光源から照射されることを特徴とする,メッキ成長装置。

IPC (1件)：