特許

J-GLOBAL ID：201103076405449307

半導体デバイス

発明者： 川崎 雅司 ,  大野 英男 ,  鯉沼 秀臣
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 橋爪 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-264885
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076356
特許番号：特許第4089858号
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 酸化亜鉛ZnO、酸化カドミウムCdO、ZnOにIIB元素若しくはIIA元素若しくはVIB元素を加えた化合物又は混合物の内いずれかを用い、3d遷移金属元素又は希土類をドープした透明チャネル層と、 透明導電性材料、透明導電体、又は、透明でない電極材料を、その全部又は一部に用いた、ソース及びドレイン及びゲートと、 前記透明チャンネル層が形成されるための絶縁性基板 を備えた半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/732 ( 200 6.01) ,  H01L 33/00 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/72 P ,  H01L 33/00 J

引用特許：

審査官引用 (1件)

• トランジスタ及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-326889   出願人：科学技術振興事業団