特許
J-GLOBAL ID：201103076694167268
半導体発光素子用エピタキシャルウェーハ及び半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿沼 伸司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260813
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085476
特許番号：特許第4168546号
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体発光素子用エピタキシャルウェーハの厚さを検査し、ラップ加工によりウェーハ上に不良領域を識別できる印を付けることを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, H01L 33/00 ( 200 6.01)
H01L 21/66 A
, H01L 21/66 X
, H01L 33/00 K
出願人引用 (3件)
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特開平2-302082
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半導体レーザ装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-158875
出願人：古河電気工業株式会社
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特開昭63-222438
審査官引用 (6件)
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