特許
J-GLOBAL ID：201103076746908806
III-V族化合物半導体の成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350259
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168050
特許番号：特許第4016553号
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 III族元素を加熱、融解した融液中に、窒素原子を含有するガスを注入すると共に基板結晶を浸漬させ、該基板結晶上にIII族元素の窒化物結晶を成長させるIII-V族化合物半導体の成長方法において、略凸字断面形状の孔を鉛直方向に有する治具を用い、その治具の孔の広い方の内壁に上記基板結晶を鉛直に保持させて、その孔の狭い方に上記ガスの気泡を通過させると共に、上記ガスの気泡の通過領域の周囲に発生する上記III族元素の窒化物の過飽和溶解領域と上記基板とを接触させて上記III族元素の窒化物結晶膜をエピタキシャル成長させることを特徴とするIII-V族化合物半導体の成長方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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