特許
J-GLOBAL ID：201103076802082827
固体撮像装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三好 秀和
, 鈴木 壯兵衞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-118410
公開番号（公開出願番号）：特開2011-249406
出願日： 2010年05月24日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：
【課題】 低暗電流、低ノイズ、低偽信号の特性を維持しつつ、光量に対する高い感度を達成できるグローバルシャッタ動作可能な固体撮像装置を提供する。【解決手段】p型の半導体からなる基体領域11と、基体領域11の上部の一部に設けられたn型の電荷生成埋込領域12と、電荷生成埋込領域12から離間して設けられ、電荷生成埋込領域12で生成された信号電荷を蓄積するn型の電荷蓄積領域15と、電荷蓄積領域から離間して設けられ、電荷蓄積領域から信号電荷を読み出す電荷読み出し領域18と、基体領域11の深部で生成された電荷の電荷蓄積領域15への流入をブロックする、p型で基体領域11より高不純物密度のバリヤ領域とを備える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体からなる基体領域と、
前記基体領域の上部の一部に設けられ、光を入射する第2導電型の電荷生成埋込領域と、
前記基体領域の上部の他の一部に、前記電荷生成埋込領域から離間して設けられ、前記電荷生成埋込領域から前記光により生成された信号電荷を転送して蓄積する第2導電型の電荷蓄積領域と、
前記基体領域の上部の更に他の一部に、前記電荷蓄積領域から離間して設けられ、前記電荷蓄積領域から前記信号電荷を転送して読み出す電荷読み出し領域と、
少なくとも前記電荷蓄積領域の下方に局所的に設けられ、前記電荷読み出し領域の下部が前記基体領域に露出した状態で、前記基体領域の深部で生成された電荷の前記電荷蓄積領域への流入をブロックする、第1導電型で前記基体領域より高不純物密度のバリヤ領域と、
前記電荷生成埋込領域と前記電荷蓄積領域との間の前記基体領域に定義されるチャネルの電位を制御して、前記電荷生成埋込領域から前記電荷蓄積領域へ前記信号電荷を転送する第1の電位制御手段と、
前記電荷蓄積領域と前記電荷読み出し領域との間の前記基体領域に定義されるチャネルの電位を制御して、前記電荷蓄積領域から前記電荷読み出し領域へ前記信号電荷を転送する第2の電位制御手段、
とを備える画素を複数配列して画素アレイを構成したことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 740
4M118AA01
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA28
, 4M118FA34
, 4M118FA38
, 5C024CX03
, 5C024CX41
, 5C024GX01
, 5C024GX02
, 5C024GY31
