特許
J-GLOBAL ID：201103064434608114
固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲本 義雄
, 西川 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-083600
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216673
出願日： 2010年03月31日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：
【課題】高画質な画像を取得する。【解決手段】単位画素120Aは、入射光量に応じた電荷を発生して内部に蓄積するフォトダイオード121と、フォトダイオード121によって変換された電荷を読み出されるまで保持するメモリ部123と、フォトダイオード121とメモリ部123との間の領域に配置されるN-の不純物拡散領域137からなり、露光期間中においてフォトダイオード121で発生した所定電荷量を超える電荷だけをメモリ部123に転送するオーバーフローパス130と、オーバーフローパス130の下部の領域に配置され、P型ウェル層132よりも不純物濃度が高いP+の不純物拡散領域138とを備える。本発明は、例えば、固体撮像素子に適用できる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面側に形成される第2の導電型による半導体領域と、
第1の導電型の不純物領域からなり、入射光量に応じた電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子と、
前記第1の導電型の不純物領域からなり、前記光電変換素子によって変換された電荷を読み出されるまで保持する電荷保持領域と、
前記光電変換素子と前記電荷保持領域との間の領域に配置される第1の導電型の不純物領域からなり、露光期間中において前記光電変換素子で発生した所定電荷量を超える電荷だけを前記電荷保持領域に転送する中間転送経路と、
前記光電変換素子と前記電荷保持領域との間の領域であって、かつ、前記中間転送経路の下部の領域に配置され、前記第2の導電型による半導体領域よりも不純物濃度が高い第2の導電型の不純物領域からなる不純物層と
を備える固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 740
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CB14
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118EA06
, 4M118EA07
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 4M118FA38
, 4M118GB11
, 4M118GB15
, 5C024AX01
, 5C024BX01
, 5C024CX43
, 5C024CY47
, 5C024GX03
, 5C024GY31
, 5C024HX40
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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