特許
J-GLOBAL ID:201103076927055937

電力半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 河村 洌 ,  藤森 洋介 ,  谷 征史 ,  佐木 啓二
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-053301
公開番号(公開出願番号):特開2001-245479
特許番号:特許第4594477号
出願日: 2000年02月29日
公開日(公表日): 2001年09月07日
請求項(抜粋):
【請求項1】 電力変換回路内において使用される電力半導体モジュールであって、少なくとも1個のスイッチング素子を搭載し、かつ、直列接続された2個以上のSiCからなるショットキーバリアダイオードをそれぞれ搭載し、前記直列接続された2個以上のSiCからなるショットキーバリアダイオードを前記スイッチング素子と逆並列に接続した電力半導体モジュール。
IPC (4件):
H02M 7/48 ( 200 7.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H02M 7/5387 ( 200 7.01)
FI (3件):
H02M 7/48 Z ,  H01L 25/04 C ,  H02M 7/538 Z
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 炭化けい素ダイオード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-132479   出願人:株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-072640   出願人:株式会社東芝
審査官引用 (2件)

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