特許
J-GLOBAL ID：201103077449127796
エピタキシャル成長によるZnSe薄膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上代 哲司 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191487
公開番号（公開出願番号）：特開2001-019600
特許番号：特許第3237660号
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ZnSe基板上に気相法でエピタキシャル成長させてなるZnSe薄膜において、ヨウ素を輸送媒体とする化学輸送法によって成長させてなる転位密度が1000〜5,000cm-2の範囲にあるZnSe基板を使用したことを特徴とするZnSe薄膜。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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