特許
J-GLOBAL ID：200903087123785723

低転位密度の薄膜成長法

発明者：
西野 勇

西野 勇 について

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佐川 徹

佐川 徹 について

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田中 理子

田中 理子 について

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小山 泰幸

小山 泰幸 について


出願人/特許権者：
同和鉱業株式会社

同和鉱業株式会社 について


代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-134682
公開番号（公開出願番号）：特開平11-310493
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 ZnSe単結晶基板上にZnSe薄膜をエピタキシャル成長させ、その上にレーザ素子作製に必要なMgZnSSe薄膜をエピタキシャル成長させると、この薄膜の転位密度はその下のZnSe薄膜およびZnSe単結晶基板と同程度かそれ以上であるため、ZnSe系レーザ素子の長寿命化が得られず、実用化のためには素子中の転位密度を下げる必要があり、転位密度の低いMgZnSSe薄膜の成長法が求められていた。【解決手段】 ZnSe単結晶基板1上にZnSe薄膜2をエピタキシャル成長させ、その上にZnSe系半導体レーザ素子を作製する際に必要となるMgZnSSe薄膜3をエピタキシャル成長させるに当たって、高エネルギーのMg分子線および高エネルギーのS分子線と共にZn分子線、Se分子線を照射するという手法により、MgZnSSe薄膜の転位密度がZnSe薄膜およびZnSe単結晶基板の転位密度よりも低くなり、1×103 cm-2程度まで減らすことが可能となるので、ZnSe系レーザ素子を含めZnSe系発光素子の長寿命化が期待される。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上又は同基板上のZnSe薄膜上にMg、Zn、S、Seのうちから選ばれる少なくとも1つの元素の分子線を高エネルギー分子線として、他の元素の分子線と共に照射することにより、基板又は同基板上のZnSe薄膜よりも転位密度の低いMgZnSSe薄膜をエピタキシャル成長させることを特徴とする低転位密度の薄膜成長法。
IPC (4件)：
C30B 23/08 ,  C30B 29/48 ,  H01S 3/08 ,  H01S 3/18
FI (4件)：
C30B 23/08 M ,  C30B 29/48 ,  H01S 3/18 ,  H01S 3/08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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