特許
J-GLOBAL ID：201103077667508270
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-309331
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127199
特許番号：特許第3460646号
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成され、その底面の面積よりも上面の面積が大きい複数のランド構成体とよりなり、前記ランド構成体は前記フレーム本体から突出した方向への押圧力によってのみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体が前記フレーム本体より分離される構成であるターミナルランドフレームを用いて形成された樹脂封止型半導体装置であって、前記ランド構成体のうち、半導体素子搭載用のランド構成体上に搭載された第1の半導体素子と、前記第1の半導体素子上に積層して搭載された第2の半導体素子と、前記ランド構成体のうち、前記第1の半導体素子の周辺に配置された信号接続用のランド構成体の各上面と前記第1の半導体素子もしくは前記第2の半導体素子、または前記第1の半導体素子および第2の半導体素子の各電極とを電気的に接続した金属細線と、前記各ランド構成体の底面を突出させて前記第1の半導体素子、第2の半導体素子、金属細線の外囲を封止した封止樹脂とよりなり、前記各ランド構成体の封止樹脂からの突出量は、前記フレーム本体の厚み量から前記各ランド構成体が前記フレーム本体から突出した量を差し引いた量であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 23/50
, H01L 23/12 501
, H01L 23/52
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/50 R
, H01L 23/12 501 W
, H01L 25/08 B
, H01L 23/52 C
