特許
J-GLOBAL ID：201103077695202454
磁気抵抗効果素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015358
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216455
特許番号：特許第3330891号
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層とを有する多層膜と、この多層膜の両側に形成され、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ揃える一対のバイアス層と、このバイアス層上に形成された一対の導電層とが設けられて成る磁気抵抗効果素子において、前記ハードバイアス層と電極層との間には、前記電極層よりも高い抵抗を有する高抵抗材料及び/あるいは絶縁材料で形成された中間層が設けられており、しかも前記電極層は、前記多層膜上にまで延ばされて形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/32
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, G01R 33/06 R
