特許
J-GLOBAL ID:201103077742286076

LCC構造の半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-059806
公開番号(公開出願番号):特開2001-250878
特許番号:特許第4252186号
出願日: 2000年03月06日
公開日(公表日): 2001年09月14日
請求項(抜粋):
【請求項1】 キャリア用基板と、該キャリア用基板の表面側にフェースダウンボンディングされる半導体素子と、該半導体素子の電極が前記キャリア用基板の側壁を経て該基板の裏面側に電気的に導出される外部接続端子とからなり、前記キャリア用基板の裏面に凹部が設けられ、該凹部内に前記外部接続端子とは電気的に独立してメタライズ部が形成されてなるLCC構造の半導体装置において、 前記キャリア用基板が上層基板と下層基板の2層構造を有し、前記キャリア用基板の裏面側である前記下層基板の中央部にスルーホールが設けられ、前記キャリア用基板の表面側である前記上層基板により前記スルーホールが閉塞されるように貼着されることにより、前記キャリア用基板に前記凹部が形成されてなるLCC構造の半導体装置。
IPC (1件):
H01L 23/12 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 E
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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