特許
J-GLOBAL ID：201103077923678561
基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-255210
公開番号（公開出願番号）：特開2011-127221
出願日： 2010年11月15日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：
【課題】薄膜除去後の基板のダメージが少なく、再研磨の工程負荷も少ないことにより、基板の再生コストを低減できる基板の再生方法を提供する。【解決手段】ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクまたは該マスクブランクを用いて作製された転写用マスクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、マスクブランクまたは転写用マスクの薄膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することにより、基板を再生する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクまたは該マスクブランクを用いて作製された転写用マスクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、
前記マスクブランクまたは前記転写用マスクの前記薄膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23F4/00 A
, H01L21/30 502P
4K057DA01
, 4K057DB03
, 4K057DB06
, 4K057DB08
, 4K057DB11
, 4K057DD10
, 4K057DE01
, 4K057DE06
, 4K057DE11
, 4K057DE14
, 4K057DG02
, 4K057DG07
, 4K057DG08
, 4K057DG13
, 4K057DG14
, 4K057DM01
, 4K057DM35
, 4K057DM37
, 4K057DM38
, 4K057DM39
, 4K057DN03
