特許
J-GLOBAL ID：201103078047934594
薄膜トランジスタ、液晶表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233607
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046089
特許番号：特許第4346841号
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜のチャネル領域上に形成された厚さが1.0乃至3.0μmの上部の幅が底部の幅よりも狭いテーパ状のチャネル保護膜と、
前記チャネル保護膜の両側にそれぞれ形成され、前記半導体膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記チャネル保護膜上に形成され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と電気的に分離された導電体膜と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G09F 9/00 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, G09F 9/35 ( 200 6.01)
H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 616 K
, G02F 1/136
, G09F 9/00 338
, G09F 9/00 342 Z
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 348 A
, G09F 9/35
