特許
J-GLOBAL ID:201103078113037205
基板の表面加工装置および基板の表面加工方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-203083
公開番号(公開出願番号):特開2011-036990
出願日: 2009年08月13日
公開日(公表日): 2011年02月24日
要約:
【課題】 本発明はウェハ等の基板の表面を鏡面に仕上げる基板の表面加工方法及び表面加工装置に関し、小さなエネルギーでありながら高効率で精度の高い基板の表面処理を行うことを課題とする。【解決手段】 バイトを用いて被加工物となるウェハ等の表面を加工する基板の表面加工方法及び表面加工装置にあって、バイトと基板表面の相対加工速度をvとし、基板を構成する構成材料の圧縮応力波の最高横伝播速度をc2とした場合、バイトと基板表面の相対加工速度vがv≧c2となるような速度で表面加工することを特徴とするものである。また、基板がシリコンの場合、基板を構成する構成材料の圧縮応力波の最高伝播速度をc1としたときに、バイトと基板表面の相対加工速度がv≧0.7×c1となるような速度で表面加工することを特徴とするものである。【選択図】図2
請求項(抜粋):
バイトを用いて被加工物となる基板の表面加工において、バイトと被加工物である基板表面との相対加工速度をvとし、基板表面の構成材料の圧縮応力波の最高横波伝播速度をc2とした場合、相対加工速度vをv≧c2となるような速度で加工することを特徴とする基板の表面加工方法。
IPC (6件):
B23C 3/00
, B23C 9/00
, B23C 5/28
, B28D 1/18
, B23Q 11/08
, B23Q 11/10
FI (6件):
B23C3/00
, B23C9/00 Z
, B23C5/28
, B28D1/18
, B23Q11/08 Z
, B23Q11/10 F
Fターム (8件):
3C011DD03
, 3C022AA10
, 3C022QQ07
, 3C069AA06
, 3C069BB03
, 3C069CA05
, 3C069EA01
, 3C069EA02
引用特許:
審査官引用 (2件)
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被加工物の加工方法
公報種別:再公表公報
出願番号:JP2007064420
出願人:タマティーエルオー株式会社
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複合加工の方法及び装置
公報種別:公表公報
出願番号:特願2009-521993
出願人:モリ・セイキ・ユーエスエー・インコーポレーテッド
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