半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 長濱範明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140499
公開番号（公開出願番号）：特開2001-314872
特許番号：特許第3667597号
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して、透過水と濃縮水とに分離する逆浸透膜処理工程と、前記逆浸透膜処理工程にて分離された前記濃縮水にスケール分散剤を添加した後、当該濃縮水と水蒸気とを供給してストリッピング処理を行い、アンモニアガスを取り出すストリッピング処理工程と、前記ストリッピング処理工程にて取り出された前記アンモニアガスを、アンモニア分解触媒を用いて分子態窒素と水とに分解するガス分解処理工程と、を含み、前記逆浸透膜処理工程は、前記アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して一次透過水と一次濃縮水とに分離する一次逆浸透膜処理工程と、前記一次逆浸透膜処理工程にて分離された前記一次透過水を逆浸透膜処理して二次透過水と二次濃縮水とに分離する二次逆浸透膜処理工程と、前記一次逆浸透膜処理工程にて分離された前記一次濃縮水を逆浸透膜処理して透過水と濃縮水とに分離する一次濃縮水逆浸透膜処理工程と、を含み、前記一次濃縮水逆浸透膜処理工程にて分離された前記濃縮水を前記ストリッピング処理工程に送る一方、前記二次逆浸透膜処理工程にて分離された前記二次濃縮水と前記一次濃縮水逆浸透膜処理工程にて分離された前記透過水とを前記一次逆浸透膜処理工程の前段に送ることを特徴とする半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法。

IPC (5件)：

C02F 1/58 , B01D 61/02 , C02F 1/20 , C02F 1/44 , C02F 9/00

FI (11件)：

C02F 1/58 P , B01D 61/02 500 , C02F 1/20 B , C02F 1/44 CDJ E , C02F 9/00 502 B , C02F 9/00 502 F , C02F 9/00 502 R , C02F 9/00 503 G , C02F 9/00 504 B , C02F 9/00 504 D , C02F 9/00 504 E

引用特許：

出願人引用 (7件)

純水の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-230718 出願人：栗田工業株式会社
アンモニア含有廃水の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-011880 出願人：株式会社日本触媒
逆浸透膜処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-005477 出願人：栗田工業株式会社

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審査官引用 (6件)

アンモニア含有排水の処理法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-127549 出願人：栗田エンジニアリング株式会社
純水の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-230718 出願人：栗田工業株式会社
特開昭61-116695

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