特許
J-GLOBAL ID：201103078380156825
太陽電池装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 敬
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-539154
特許番号：特許第3290186号
出願日： 1999年01月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】絶縁性基板上に成膜した金属膜をエッチングして透明酸化物電極を形成する工程と、前記透明酸化物電極を形成する工程におけるエッチングガスよりも飽和蒸気圧の高いハロゲンガスによって、前記絶縁性基板と前記透明酸化物電極の表面を洗浄する工程と、前記透明酸化物電極の表面上にp型半導体層、真性半導体層およびn型半導体層を順次形成する工程と、前記n型半導体層上に金属電極を形成する工程とを有することを特徴とする太陽電池装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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