特許

J-GLOBAL ID：201103079078670176

半導体装置

発明者： 岡田 哲也
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-075023
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267329
特許番号：特許第3515473号
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 コレクタ領域、ベース領域およびエミッタ領域を備え、前記エミッタ領域をメッシュ状に形成し、前記べ一ス領域のコンタクト領域を前記エミッタ領域に囲まれるように島状に設け、前記べ一ス領域のコンタクト領域にコンタクトするべ一ス電極と前記エミッタ領域にコンタクトするエミッタ電極を櫛歯状に形成する半導体装置において、前記ベース電極のベースパッド部分はメッシュ状の前記エミッタ領域上に形成し且つその下にある前記べ一ス領域のコンタクト領域とコンタクトさせ、前記エミッタ電極のエミッタパッド部分はメッシュ状に形成した前記べ一ス領域上に形成し且つこのメッシュ状に形成した前記ベース領域に囲まれた前記エミッタ領域とコンタクトさせて、前記ベース電極のベースパッド部分の下および前記エミッタ電極のエミッタパッド部分の下をトランジスタ領域として活用することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/737

FI (3件)：

H01L 29/72 H ,  H01L 29/44 P ,  H01L 29/50 B

引用特許：

出願人引用 (5件)

• パワートランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-170007   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-104420   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭64-014961
  
• 特開昭56-104464
  
• 特開昭55-150271
  

審査官引用 (3件)

• パワートランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-170007   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-104420   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭64-014961