特許
J-GLOBAL ID：201103079447528818
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-029305
公開番号（公開出願番号）：特開2011-192976
出願日： 2011年02月15日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：
【課題】フォトセンサにおいて、光検出の精度を向上させることを目的の一とする。また、フォトセンサの受光面積を広げることを目的の一とする。【解決手段】フォトセンサは、光を電気信号に変換する受光素子と、電気信号を転送する第1のトランジスタと、電気信号を増幅する第2のトランジスタとを有し、受光素子はシリコン半導体を用いて形成され、第1のトランジスタは酸化物半導体を用いて形成されている。また、受光素子は横型接合タイプのフォトダイオードであり、受光素子が有するn層又はp層と、第1のトランジスタとが重なって形成されている。【選択図】図19
請求項（抜粋）：
光を電気信号に変換する受光素子と、前記電気信号を転送する第1のトランジスタと、前記転送された電気信号を増幅する第2のトランジスタとを有し、
前記受光素子は、シリコン半導体を用いて形成されており、
前記第1のトランジスタは、酸化物半導体を用いて形成されており、
前記第2のトランジスタは、シリコン半導体を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 C
, H04N5/335 690
4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA02
, 4M118CA05
, 4M118CB05
, 4M118CB06
, 4M118CB07
, 4M118CB14
, 4M118DD05
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FB13
, 4M118FB24
, 5C024AX01
, 5C024CX41
, 5C024GX03
, 5C024GX16
, 5C024GY01
, 5C024GY31
