特許

J-GLOBAL ID：201103079550173319

半導体装置

発明者： 林 哲也
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 和泉 良彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155932
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349302
特許番号：特許第3589091号
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ドレイン領域である一導電型の半導体基体の一主面に接して同一導電型のソース領域を有し、前記主面に接して前記ソース領域を挟み込むように配置された溝を有し、前記溝の内部には絶縁膜によって前記ドレイン領域と絶縁され、かつ、前記ソース領域と同電位に保たれた固定電位絶縁電極を有し、前記固定電位絶縁電極は、前記絶縁膜を介して隣接する前記ドレイン領域に空乏領域を形成するような仕事関数の導電性材料から成り、前記ソース領域に接する前記ドレイン領域の一部であって、前記固定電位絶縁電極によって挟み込まれたチャネル領域を有し、前記チャネル領域には前記固定電位絶縁電極の周囲に形成された前記空乏領域によって多数キャリアの移動を阻止するポテンシャル障壁が形成されていて、さらに前記固定電位絶縁電極を取り囲む前記絶縁膜の界面に少数キャリアを導入して反転層を形成し、前記固定電位絶縁電極から前記ドレイン領域への電界を遮蔽して前記チャネル領域に形成されたポテンシャル障壁を減少もしくは消滅させてチャネルを開くべく、前記絶縁膜ならびに前記ドレイン領域に接して、前記ソース領域には接しない、反対導電型のゲート領域を有する半導体装置であって、前記ドレイン領域側からの電界が、前記ゲート領域近傍が臨界電界に達してアバランシェ降伏が生じる大きさよりも少なくとも小さな所定電界で、前記チャネル領域の多数キャリアの移動を阻止するポテンシャル障壁が減少もしくは消滅すべく、前記チャネル領域にあって前記溝の底部から前記ソース領域までの距離すなわちチャネル長を、前記チャネル領域にあって対面する前記溝の側壁同士の距離すなわちチャネル厚みの1倍以上で2倍未満としたことにより、前記ドレイン電圧が前記所定電界に相当する所定値以下の場合には前記チャネル領域がノーマリオフ特性を有し、前記ドレイン電圧が前記所定値より大きくなると前記チャネルが開き、前記ゲート領域と前記ドレイン領域との間の接合界面にアバランシェ降伏が生じる前に前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に電流が流れるように構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/80 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/80 V ,  H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 654 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-033419   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-010621   出願人：日産自動車株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-033419   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-010621   出願人：日産自動車株式会社