特許

J-GLOBAL ID：201103079771901890

試料の表面加工方法

発明者： 石村 裕昭 ,  吉開 元彦 ,  荒瀬 高男 ,  下村 隆浩 ,  中司 孝則
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-258120
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075967
特許番号：特許第3732079号
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 真空容器内に供給した反応性ガスをプラズマ化し、試料台に高周波電圧を印加して、前記試料台に配置した半導体基板上に積層された少なくともタングステン膜と多結晶シリコン膜あるいは非結晶シリコン膜とを含む多層膜を有する試料をプラズマエッチングする試料の表面加工方法において、 前記タングステン膜の部分のエッチング処理時に、塩素原子または臭素原子を含むガスの少なくともいずれか一方のガスと、フッ素原子を含むガスと、酸素原子を含むガスとの混合ガスであって、前記酸素原子を含むガスを同等の酸素原子数となるように酸素ガス(O2)の量に換算した場合、その換算ガス量の全ガス量に対する割合が20以上50体積%未満になる混合ガスを用い、前記多層膜の各膜層で条件を変えてステップエッチングを行い、該ステップの切り換えを少なくとも前記多結晶シリコン膜あるいは非結晶シリコン膜の一部が露出してから、前記タングステン膜のエッチング処理時よりも少ない酸素の換算ガス量を有する次のステップに変えてプラズマエッチングすることを特徴とする試料の表面加工方法。

IPC (8件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3213 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01L 21/302 104 C ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/58 G ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-050881   出願人：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-018004   出願人：ソニー株式会社