特許
J-GLOBAL ID:201103080259350872

半導体装置用のシールリングとそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松田 宗久
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-240754
公開番号(公開出願番号):特開2001-068575
特許番号:特許第4144826号
出願日: 1999年08月27日
公開日(公表日): 2001年03月16日
請求項(抜粋):
【請求項1】 鉄-ニッケル-コバルト合金又は鉄-ニッケル合金からなるシールリング本体の下地表面に、AgめっきとCuめっきとが交互に3層以上に順に施されて、その最内側と最外側とには、Agめっきが施されると共に、そのAgめっき及びCuめっきのそれぞれの厚さが7μm以下に形成されてなることを特徴とする半導体装置用のシールリング。
IPC (1件):
H01L 23/02 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 23/02 C
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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