特許
J-GLOBAL ID：201103080704858750
光変調素子、GLVデバイス、及びレーザディスプレイ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206453
公開番号（公開出願番号）：特開2003-021794
特許番号：特許第3760810号
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁性基板上に形成された基板側電極と、
前記基板側電極に交差して基板側電極上に離間延在し、少なくとも上層がSiN膜で形成されたブリッジ部材、及び前記基板側電極に対向して前記ブリッジ部材のSiN膜上に設けられた金属膜からなる光反射膜兼メンブレン側電極を有し、前記光反射膜兼メンブレン側電極と前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により前記光反射膜を駆動するメンブレンと
を備える光変調素子において、
前記光反射膜兼メンブレン側電極が多層金属膜により形成され、
前記多層金属膜が、前記ブリッジ部材のSiN膜上に設けられたチタン(Ti)膜、タングステン(W)膜、モリブデン(Mo)膜、及びタンタル(Ta)膜のいずれかの高融点金属膜と、該高融点金属膜上に設けられた前記高融点金属膜のいずれかの窒化膜又は炭化膜と、該高融点金属窒化膜又は高融点金属炭化膜上に設けられたアルミニウム(Al)を主成分とするAl膜とを有する
ことを特徴とする光変調素子。
IPC (2件)：
G02B 26/08 ( 200 6.01)
, G02B 27/18 ( 200 6.01)
G02B 26/08 E
, G02B 27/18 Z
