特許

J-GLOBAL ID：201103080893964646

超電導素子とその製造方法

発明者： 元井 雄一 ,  池川 純夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-036696
公開番号（公開出願番号）：特開2001-226119
特許番号：特許第4095222号
出願日： 2000年02月15日
公開日（公表日）： 2001年08月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 超電導層と非超電導層とを積層した構造を有する超電導素子において、 前記超電導層が、下記化学式 (Pb2Cu)Sr2Ln1-xCaxCu2O8-z (ここで、LnはYおよび3価の希土類元素から選択される少なくとも1種の元素を示し、xは結晶構造中でLnの位置へ置換するCaの割合を表す正の実数であり、zは酸素ノンストイキオメトリーを表わす実数である)で表され、 0.3<x<0.5 である物質からなり、 前記非超電導層として、下記化学式 (Pb2Cu)Sr2LnaCebCu2O2n+6-z (ここで、LnはYおよび3価の希土類元素から選択される少なくとも1種の元素を示し、a,bは正の実数、nは整数、zは酸素ノンストイキオメトリーを表わす実数である) で表される層状銅系酸化物の結晶構造中に含まれる多重螢石型ブロックが用いられ、前記層状銅系酸化物は n-0.3>a+b>n-1.2 を満たすようにLnおよびCeの組成が調節されており、前記多重螢石型ブロックを挟むCuO2面間距離d[nm]が、 0.57+0.26(n-2)<d<0.63+0.29(n-2) で表わされることを特徴とする超電導素子。

IPC (4件)：

C01G 1/00 ( 200 6.01) ,  C01G 21/00 ( 200 6.01) ,  H01L 39/22 ( 200 6.01) ,  H01L 39/24 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C01G 1/00 S ,  C01G 21/00 ZAA ,  H01L 39/22 A ,  H01L 39/24 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 超電導素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141878   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-167479
  
• 特開平4-105373