特許
J-GLOBAL ID：201103080928735807
電極構造体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-290840
公開番号（公開出願番号）：特開2011-132561
出願日： 2009年12月22日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：
【課題】本発明は、簡素な構造と製造方法でありながら、基材に発生する応力を緩和させ、基材の破壊を防止するとともに、高温使用環境下での十分な耐性を有する電極構造体及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】セラミックス基材10と、 Ni又はCo系の金属材料を含む溶射電極層30と、 Ni、Cr及びCoの少なくとも1つの金属材料を含む多孔体からなり、前記セラミックス基材と前記溶射電極層の間に挿入された中間溶射層20と、を有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
セラミックス基材と、
Ni又はCo系の金属材料を含む溶射電極層と、
Ni、Cr又はCoの少なくとも1つの金属材料を含む多孔体からなり、前記セラミックス基材と前記溶射電極層の間に挿入された中間溶射層と、を有することを特徴とする電極構造体。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
4K031AA06
, 4K031AB03
, 4K031CB09
, 4K031CB21
, 4K031CB22
, 4K031CB50
, 4K031CB51
, 4K031DA01
