特許
J-GLOBAL ID:201103081616506955

セミカスタムIC

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 上柳 雅誉 ,  須澤 修
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-244584
公開番号(公開出願番号):特開2001-135727
特許番号:特許第3578065号
出願日: 2000年08月11日
公開日(公表日): 2001年05月18日
請求項(抜粋):
【請求項1】半導体基板上に多数のベーシックセルが設けられ、そのベーシックセルと複数の配線層とを用いて、第1マクロセルとこの第1マクロセルに関連する第2マクロセルとを形成するようにしたセミカスタムICであって、 前記第1マクロセルは、前記多数のベーシックセルのうちの所定のベーシックセルと、このベーシックセルの上方の配線層とを使用して形成し、前記第1マクロセルの電源線は、前記第1マクロセルの周囲であって前記複数の配線層のうちの上部側の配線層を使用して形成し、前記第2マクロセルは、前記電源線の直下のベーシックセルと、このベーシックセルの直上の複数の配線層のうちの下部側の配線層とを使用して形成するようにしたことを特徴とするセミカスタムIC。
IPC (1件):
H01L 21/82
FI (2件):
H01L 21/82 B ,  H01L 21/82 L
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-057853   出願人:セイコーエプソン株式会社

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