半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：前田弘 , 小山廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003357
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269501
特許番号：特許第3592981号
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板と、上記半導体基板の上に設けられ、チャネルが形成されるSi1-yGey層(0<y<1)からなる第1の半導体層と、上記第1の半導体層の上に設けられ、C(炭素)を含有するSi層からなる第2の半導体層と、上記第2の半導体層の上方に設けられたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極とを備える電界効果トランジスタであって、上記第2の半導体層中における上記Cの濃度が、上記第1の半導体層から上記ゲート絶縁膜に向かう方向に減少する分布を有する、半導体装置。

IPC (2件)：