特許
J-GLOBAL ID：201103081854403765

半導体力学量センサとその製造方法

発明者：
大原 淳士

大原 淳士 について

, 
竹内 幸裕

竹内 幸裕 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-028747
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231966
特許番号：特許第4352616号
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板に形成した横方向に延びる空洞により区画された支持部と、 前記空洞および半導体基板の空洞上部に形成した縦方向に延びる溝により区画され、空洞の上に位置し、前記支持部から延び、かつ、力学量により変位する可動電極を有する梁構造体と、 前記空洞および溝により区画され、空洞の上に位置し、前記支持部から延び、かつ、前記梁構造体の可動電極に対向して配置された固定電極と、 を備えた半導体力学量センサにおいて、 前記半導体基板をN型半導体層とこのN型半導体層上に形成されたP型半導体層とによって形成するとともに、前記空洞がそれらN型半導体層とP型半導体層との境界面を底としてP型半導体層側に形成されてなり、前記縦方向に延びる溝と前記横方向に延びる空洞との交差部分が、前記空洞を形成するための反応性イオンエッチングの際に基板表面に直交する方向から入射したイオンを横方向に曲げるためのPN接合界面からなることを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (4件)：
H01L 29/84 ( 200 6.01) ,  G01P 15/125 ( 200 6.01) ,  G01P 15/13 ( 200 6.01) ,  H01L 21/302 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 29/84 Z ,  G01P 15/125 Z ,  G01P 15/13 B ,  H01L 21/302 201 B
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM