特許
J-GLOBAL ID：201103081877668715
光電素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-022205
公開番号（公開出願番号）：特開2011-166139
出願日： 2011年02月04日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：
【課題】光電半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による光電半導体素子は、基板と、前記基板に形成され、第一シート抵抗値と、第一厚みと、第一ドーパント濃度とを有する第一ウィンドウ層と、第二シート抵抗値と、第二厚みと、第二ドーパント濃度とを有する第二ウィンドウ層と、前記第一ウィンドウ層と前記第二ウィンドウ層との間に形成される半導体システムと、を含み、前記第二ウィンドウ層及び前記半導体システムは、異なる半導体材料を含み、前記第二シート抵抗値は、前記第一シート抵抗値より低く、前記第二厚みは、前記第一厚みより大きい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
光電半導体素子であって、
基板と、
前記基板に形成され、第一シート抵抗値と、第一厚みと、第一ドーパント濃度とを有する第一ウィンドウ層と、
第二シート抵抗値と、第二厚みと、第二ドーパント濃度とを有する第二ウィンドウ層と、
前記第一ウィンドウ層と前記第二ウィンドウ層との間に形成される半導体システムと、
を含み、
前記第二ウィンドウ層及び前記半導体システムは、異なる半導体材料を含み、
前記第二シート抵抗値は、前記第一シート抵抗値より低く、
前記第二厚みは、前記第一厚みより大きい、
光電半導体素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F041AA03
, 5F041CA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA14
, 5F041CA34
, 5F041CA74
, 5F041CA83
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F041CB15
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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